在半導體器件的生產過程中,受材料、工藝以及環境的影響,晶圓芯片表麵會存在肉眼看不到的各種微粒、有機物、氧化物及殘留的磨料顆粒等沾汙雜質,而妖精视频链接清洗是最適合的工藝方法。在不破壞晶圓芯片及其他所用材料的表麵特性、熱學特性和電學特性的前提下,清洗去除晶圓芯片表麵的有害沾汙雜質物,對半導體器件功能性、可靠性、集成度等顯得尤為重要;否則,它們將對半導體器件的性能造成致命缺陷和影響,極大地降低產品良率,並將製約半導體器件的進一步發展。
妖精视频链接清洗的基本技術原理如下:
1、在密閉的真空腔體中,通過真空泵不斷抽氣,使得壓力值逐漸變小,真空度不斷提高,分子間的間距被拉大,分子間作用力越來越小,利用妖精视频链接發生器產生的高壓交變電場將Ar、H2、N2、O2、CF4等工藝氣體激發、震蕩形成具有高反應活性或高能量的妖精视频链接體,進而與有機汙染物及微顆粒汙染物反應或碰撞形成揮發性物質,最終由工作氣體流及真空泵將這些揮發性物質清除出去,從而達到表麵清潔、活化、刻蝕等目的。
2、妖精视频链接清洗並不會破壞被處理的材料或者產品的固有特性,發生改變的僅僅是表麵納米級的厚度,被清洗的材料或產品表麵汙染物被去除,分子鍵打開後極其微小的結構變化,形成一定的粗糙度或者是在表麵產生親水性的官能基,使得金屬焊接的可靠性增強、不同材料之間的結合力提高等,從而提高產品的信賴度、穩定性,延長產品的使用壽命。
3、半導體封裝妖精视频链接清洗根據其反應類型可分為以下三種:
①物理反應的清洗:利用Ar等惰性氣體輕易不與其他物質發生反應,離子質量比較重,對材料表麵進行物理轟擊,清除汙染物或將高分子的鍵結打斷,形成微結構粗糙麵。
例:Ar+e- →Ar++2e- Ar++沾汙→揮發性沾汙
Ar+在自偏壓或外加偏壓作用下被加速產生動能,然後轟擊在放在負電極上的被清洗工件表麵,一般用於去除氧化物、環氧樹脂溢出或是微顆粒汙染物,同時進行表麵能活化。
②化學反應的清洗:利用H2、O2等活躍性氣體的特性,使之發生還原反應或形成多鍵結構的活性官能團,進行表麵改性,提高親水性等。
例1:O2+e- →2O*+e- O*+有機物→CO2+H2O
從反應式可見,氧妖精视频链接體通過化學反應可使非揮發性有機物變成易揮發的H2O和CO2。
例2:H2+e- →2H*+e- H*+非揮發性金屬氧化物→金屬+H2O
從反應式可見,氫妖精视频链接體通過化學反應可以去除金屬表麵氧化層,清潔金屬表麵。
③物理化學反應的清洗:根據需要通入不同組合的工藝氣體,例如Ar、H2混合氣,其效果既有良好的選擇性、清洗性、均勻性,又有較好的方向性。
這些便是在半導體封裝中妖精视频链接清洗機的發揮作用的其中的一些基本技術原理了,希望這些能讓你更加了解妖精视频链接清洗機這一表麵處理設備,希望對你有所幫助。
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